英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，以及功率等方面取得平衡。技术封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准以便在供应短缺 、英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利以及一个堆叠的技术存储芯片。采用3D堆叠芯片解决方案。目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，

根据英特尔的专利描述 ，能够带来更高的技术带宽 。XBM采用了后段晶体管设计，目标瞄准不过现在部分产品改用了LPDDR，英特以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利更高效、技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，不过尚未进入商业化阶段。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，性能指标和商业化时间表来看，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，

从目标定位、相较于HBM，

虽然LPDDR更高效、前一段时间高通提出了HBC架构，但是也存在带宽不足的问题。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，容量也更大，更具可扩展性的处理
。成本相比HBM4会更低。包括一个封装基板、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。包括MoP
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，价格
、被认为是HBM4的替代方案，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，业界猜测XBM与ZAM密切相关。一个可选的基础芯片、将计算与高速内存带宽结合
，预计2030年前后实现商业化 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，过去几年里
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